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光刻機把圖案印上去之后，刻蝕機會根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉，光刻機標記出來應的區(qū)域和留下剩余的部分。蝕刻機的工作流程主要分前后段。前段一般是硅及硅的化合物的蝕刻，后段主要是金屬和電介質(zhì)的蝕刻。刻蝕技術按工藝分類可分為濕法刻蝕與干法刻蝕。其中濕法刻蝕又包括化學刻蝕與電解刻蝕。濕法刻蝕一般只用于清洗，很少做圖案。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術，它是以等離子體干法刻蝕為主導。光刻只在光刻膠上做好圖案，而在硅片上是沒有圖案的，需要用干法刻蝕的等離子體蝕刻硅片。可以想象，像是垂直硅片上下的一場大雨，沒有光刻膠保護的硅片就會被轟擊，相當于在硅片上挖出一個洞或者槽。做好之后，光刻膠可以通過濕法蝕刻洗去，這樣才能得到有圖案的硅片。
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